纵览网丨Kioxia公布拥有1000万IOPS超高性能的SSD研发计划_技术_该公司_XL-Flash

Kioxia 宣布了其中长期增长战略，作为其中的一部分，该公司正押注先进的 SSD 技术以抢占更多市场份额。该公司最雄心勃勃的项目是一款突破性的 SSD，它将 XL-FLASH 内存与全新的控制器设计相结合。

“我们将采用单层单元的超高速 XL-Flash 内存芯片，并将其与全新的控制器配对，”一位公司代表解释道。“这种组合将为我们的小型数据操作带来前所未有的性能。我们的目标是超过 1000 万次 IOPS，并计划在 2026 年下半年准备好样品。”该公司还与主要的 GPU 制造商密切合作，以优化 AI 和图形密集型应用的性能。

同时，Kioxia 正在推出基于第八代BiCS FLASH 技术的当前一代 SSD。CM9 系列面向同事需要极快速度和的可靠性的 AI 系统，以充分利用昂贵的 GPU 硬件。另一方面，LC9 系列专注于海量存储容量，每个驱动器的容量达到 122 TB，适用于支持 AI 推理系统的大型数据库等应用。

第八代 BiCS FLASH 技术本身代表着一项重大进步，它融合了 CBA 技术，实现了比前几代更高的速度和能效。铠侠正在加大这些芯片的产量，这些芯片将用于高端固态硬盘 (SSD) 和支持 AI 的智能手机。

铠侠将采取两种方法开发未来的闪存。一种方案侧重于传统的堆叠更多层数的方法，以创造更高的容量和性能，从而推出像第十代 BiCS FLASH 这样的产品。另一种方案则侧重于第九代 BiCS FLASH，它通过将成熟的单元设计与直接键合到阵列的尖端 CMOS 技术相结合，最大限度地发挥 CBA 技术的优势，在提供强大性能的同时，保持开发成本的可控。